买卖IC网 >> 产品目录 >> AGR09180EF 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

AGR09180EF

库存数量：可订货
制造商：TriQuint Semiconductor
描述：射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
AGR09180EF PDF下载
制造商 TriQuint Semiconductor
配置 Dual
晶体管极性 N-Channel
频率 865 MHz to 895 MHz
增益 18.25 dB
输出功率 38 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流
闸/源击穿电压 15 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 9180EF
封装
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属性
链接
代理商 AGR09180EF
AGR1000
AGR1100
AGR1100-0.16
AGR1100C
AGR1100C-0.138
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